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365bet手机娱乐场基础元件-IGBT基础与运用知识

文章来源:365bet手机客户端公司,时间:2017-09-15 11:12    点击量:

    365bet手机娱乐场元件IGBT基础与运用365bet手机娱乐场元件IGBT, 中文名字为绝缘栅双极型晶体管,它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件,既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快 的特点(控制和响应),又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用),频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz 频率范围内.

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    理想等效365bet手机娱乐场电路与实际等效365bet手机娱乐场电路如图所示:

    365bet手机娱乐场元件IGBT基础与运用365bet手机娱乐场元件IGBT 的静态特性一般用不到,暂时不用考虑,重点考虑动态特性(开关特性).

    动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取:

    365bet手机娱乐场元件IGBT的开通过程365bet手机娱乐场元件IGBT 在开通过程中,分为几段时间1.与MOSFET类似的开通过程,也是分为三段的充电时间2.只是在漏源DS电压下降过程后期,PNP晶体管由放大区至饱和过程中增加了一段延迟时间.

    在上面的表格中,定义了了:开通时间Ton,上升时间Tr和Tr.i除了这两个时间以外,还有一个时间为开通延迟时间td.on:td.on=Ton-Tr.i365bet手机娱乐场元件IGBT在关断过程365bet手机娱乐场元件IGBT在关断过程中,漏极电流的波形变为两段.

    第一段是按照365bet手机娱乐场基础元件MOS管关断的特性的第二段是在MOSFET关断后,PNP晶体管上存储的电荷难以迅速释放,造成漏极电流较长的尾部时间.

    在上面的表格中,定义了了:关断时间Toff,下降时间Tf和Tf.i除了表格中以外,还定义trv为DS端电压的上升时间和关断延迟时间td(off).

    漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成,而总的关断时间可以称为toff=td(off)+trv十t(f),td(off)+trv之和又称为存储时间.

    从下面图中可看出详细的栅极电流和栅极电压,CE电流和CE电压的关系:

    从另外一张图中细看365bet手机娱乐场基础元件MOS管与365bet手机娱乐场元件IGBT管栅极特性可能更有一个清楚的概念:

    开启过程关断过程尝试去计算365bet手机娱乐场元件IGBT的开启过程,主要是时间和门365bet手机娱乐场基础元件电阻的散热情况.

    C.GE 栅极-发射极365bet手机娱乐场基础元件电容C.CE 集电极-发射极365bet手机娱乐场基础元件电容C.GC 门级-集电极365bet手机娱乐场基础元件电容(米勒365bet手机娱乐场基础元件电容)Cies = CGE + CGC 输入365bet手机娱乐场基础元件电容Cres = CGC       反向365bet手机娱乐场基础元件电容Coes = CGC + CCE 输出365bet手机娱乐场基础元件电容根据充电的详细过程,可以下图所示的过程进行分析对应的电流可简单用下图所示:

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