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细节决定成败-开关365bet手机娱乐场细节设计大全

文章来源:365bet手机客户端公司,时间:2017-08-29 09:34    点击量:

    开关365bet手机娱乐场设计项目前期各个参数注意细节开关365bet手机娱乐场设计图纸借鉴下NXP的这个TEA1832图纸做个说明.分析里面的电路参数设计与优化并做到认证至量产. 在所有的元器件中尽量选择公司仓库里面的元件,和量大的元件,方便后续降成本拿价格.

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    贴片电阻采用0603的5%,0805的5%,1%,贴片电容容值越大价格越高,设计时需考虑.

    1、输入端,FUSE选择需要考虑到I^2T参数.保险丝的分类,快断,慢断,电流,电压值,保险丝的认证是否齐全.保险丝前的安规距离2.5mm以上.设计时尽量放到3mm以上.需考虑打雷击时,保险丝I2T是否有余量,会不会打挂掉.

    2、这个图中可以增加个压敏电阻,一般采用14D471,也有采用561的,直径越大抗浪涌电流越大,也有增强版的10S471,14S471等,一般14D471打1KV,2KV雷击够用了,增加雷击电压就要换成MOV+GDT了.有必要时,压敏电阻外面包个热缩套管.

    3、NTC,这个图中可以增加个NTC,有的客户有限制冷启动浪涌电流不超过60A,30A,NTC的另一个目的还可以在雷击时扛部分电压,减下MOSFET的压力.选型时注意NTC的电压,电流,温度等参数.

    4、共模电感,传导与辐射很重要的一个滤波元件,共模电感有环形的高导材料5K,7K,0K,12K,15K,常用绕法有分槽绕,并绕,蝶形绕法等,还有UU型,分4个槽的ET型.这个如果能共用老机种的最好,成本考虑,传导辐射测试完成后才能定型.

    5、X电容的选择,这个需要与共模电感配合测试传导与辐射才能定容值,一般情况为功率越大X电容越大.

    6、如果做认证时有输入L,N的放电时间要求,需要在X电容下放2并2串的电阻给电容放电.

    7、桥堆的选择一般需要考虑桥堆能过得浪涌电流,耐压和散热,防止雷击时挂掉.

    8、VCC的启动电阻,注意启动电阻的功耗,主要是耐压值,1206的一般耐压200V,0805一般耐压150V,能多留余量比较好.

    9、输入滤波电解电容,一般看成本的考虑,输出保持时间的10mS,按照电解电容容值的最小情况80%容值设计,不同厂家和不同的设计经验有点出入,有一点要注意普通的电解电容和扛雷击的电解电容,电解电容的纹波电流关系到电容寿命,这个看品牌和具体的系列了.

    10、输入电解电容上有并联一个小瓷片电容,这个平时体现不出来用处,在做传导抗扰度时有效果.

    11、RCD吸收部分,R的取值对应MOSFET上的尖峰电压值,如果采用贴片电阻需注意电压降额与功耗.C一般取102/103 1KV的高压瓷片,整改辐射时也有可能会改为薄膜电容效果好.D一般用FR107,FR207,整改辐射时也有改为1N4007的情况或者其他的慢管,或者在D上套磁珠(K5A,K5C等材质).小功率电源,RC可以采用TVS管替代,如P6KE160等.

    12、MOSFET的选择,起机和短路情况需要注意SOA.高温时的电流降额,低温时的电压降额.一般600V 2-12A足够用与100W以内的反激,根据成本来权衡选型.整改辐射时很多方法没有效果的时候,换个MOSFET就过了的情况经常有.

    13、MOSFET的驱动电阻一般采用10R+20R,阻值大小对应开关速度,效率,温升.这个参数需要整改辐射时调整.

    14、MOSFET的GATE到SOURCE端需要增加一个10K-100K的电阻放电.

    15、MOSFET的SOURCE到GND之间有个Isense电阻,功率尽量选大,尽量采用绕线无感电阻.功率小,或者有感电阻短路时有遇到过炸机现象.

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