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365bet手机娱乐场MOSFET应用分析

文章来源:365bet手机客户端公司,时间:2017-09-04 15:01    点击量:

    一位365bet手机娱乐场工程师曾经对我讲,他从来不看365bet手机娱乐场MOSFET数据表的第一页,因为"实用"的信息只在第二页以后才出现.事实上,365bet手机娱乐场MOSFET数据表上的每一页都包含有对设计者非常有价值的信息.但人们不是总能搞得清楚该如何解读制造商提供的数据.

365bet手机娱乐场MOSFET应用分析
    本文概括了一些365bet手机娱乐场MOSFET的关键指标,这些指标在数据表上是如何表述的,以及你理解这些指标所要用到的清晰图片.像大多数电子器件一样,365bet手机娱乐场MOSFET也受到工作温度的影响.所以很重要的一点是了解测试条件,所提到的指标是在这些条件下应用的.还有很关键的一点是弄明白你在"产品简介"里看到的这些指标是"最大"或是"典型"值,因为有些数据表并没有说清楚.

    365bet手机娱乐场电压等级确定365bet手机娱乐场MOSFET的首要特性是其漏源365bet手机娱乐场电压VDS,或"漏源击穿365bet手机娱乐场电压",这是在栅极短路到源极,漏极365bet手机娱乐场电流在250μA情况下,365bet手机娱乐场MOSFET所能承受的保证不损坏的最高365bet手机娱乐场电压.

    VDS也被称为"25℃下的绝对最高365bet手机娱乐场电压",但是一定要记住,这个绝对365bet手机娱乐场电压与温度有关,而且数据表里通常有一个"VDS温度系数".你还要明白,最高VDS是直流365bet手机娱乐场电压加上可能在365bet手机娱乐场电路设计里存在的任何365bet手机娱乐场电压尖峰和纹波.例如,如果你在365bet手机娱乐场电压30V并带有100mV、5ns尖峰的365bet手机娱乐场里使用30V器件,365bet手机娱乐场电压就会超过器件的绝对最高限值,器件可能会进入雪崩模式.在这种情况下,365bet手机娱乐场MOSFET的可靠性没法得到保证.

    在高温下,温度系数会显着改变击穿365bet手机娱乐场电压.例如,一些600V365bet手机娱乐场电压等级的N沟道365bet手机娱乐场MOSFET的温度系数是正的,在接近最高结温时,温度系数会让这些365bet手机娱乐场MOSFET变得象650V 365bet手机娱乐场MOSFET.

    很多365bet手机娱乐场MOSFET用户的设计规则要求10%~20%的降额因子.在一些设计里,考虑到实际的击穿365bet手机娱乐场电压比25℃下的额定数值要高5%~10%,会在实际设计中增加相应的有用设计裕量,对设计是很有利的.

    对正确选择365bet手机娱乐场MOSFET同样重要的是理解在导通过程中栅源365bet手机娱乐场电压VGS的作用.这个365bet手机娱乐场电压是在给定的最大RDS(on)条件下,能够确保365bet手机娱乐场MOSFET完全导通的365bet手机娱乐场电压.这就是为什么导通电阻总是与VGS水平关联在一起的原因.

    而且也是只有在这个365bet手机娱乐场电压下才能保证器件导通.一个重要的设计结果是,你不能用比用于达到RDS(on)额定值的最低VGS还要低的365bet手机娱乐场电压,来使365bet手机娱乐场MOSFET完全导通.例如,用3.3V微控制器驱动365bet手机娱乐场MOSFET完全导通,你需要用在VGS= 2.5V或更低条件下能够导通的365bet手机娱乐场MOSFET.

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